一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721381870.3

申请日：

2017-10-24

公开(公告)号：

CN207338421U

公开(公告)日：

2018-05-08

发明(设计)人：

杨为家吴质朴何畏陈强

申请人：

申请人地址：

529000 广东省江门市江海区金辉路21号1幢

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3310 H01L3332 H01L3300 B82Y3000

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

梁嘉琦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种新型P‑GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法 [P].

杨为家 ;

吴质朴 ;

何畏 ;

陈强 .

中国专利 :CN107681030A ,2018-02-09

[2]

一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法 [P].

何安和 ;

章勇 ;

何苗 ;

范广涵 .

中国专利 :CN101702419A ,2010-05-05

[3]

一种ITO薄膜结构的LED芯片 [P].

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN206040684U ,2017-03-22

[4]

一种带ITO薄膜结构的LED芯片 [P].

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN205790051U ,2016-12-07

[5]

一种GaN基倒装薄膜结构近紫外LED芯片 [P].

刘晓燕 ;

陈志涛 ;

曾昭烩 ;

龚政 ;

刘久澄 ;

任远 ;

李叶林 .

中国专利 :CN207116466U ,2018-03-16

[6]

一种LED发光芯片的新型倒装结构 [P].

郝锐 ;

易翰翔 ;

刘洋 ;

许徳裕 .

中国专利 :CN205231114U ,2016-05-11

[7]

具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

魏同波 ;

张杨 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN102157640A ,2011-08-17

[8]

一种LED芯片结构 [P].

孙旭 ;

范慧丽 ;

戴志祥 ;

陈翔 ;

蔡吉明 .

中国专利 :CN208722913U ,2019-04-09

[9]

一种P-GAN层改性的LED芯片及其制作方法 [P].

陈明飞 ;

刘永成 ;

王金科 ;

郭梓旋 .

中国专利 :CN112750929A ,2021-05-04

[10]

一种垂直结构的LED芯片 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN204144302U ,2015-02-04

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