一种新型P‑GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711005630.8

申请日：

2017-10-24

公开(公告)号：

CN107681030A

公开(公告)日：

2018-02-09

发明(设计)人：

杨为家吴质朴何畏陈强

申请人：

申请人地址：

529000 广东省江门市江海区金辉路21号1幢

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3310 H01L3332 H01L3300 B82Y3000

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

梁嘉琦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20171024
2018-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片 [P].

杨为家 ;

吴质朴 ;

何畏 ;

陈强 .

中国专利 :CN207338421U ,2018-05-08

[2]

一种带ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法 [P].

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN105895771B ,2016-08-24

[3]

一种GaN基微型LED芯片及其制备方法 [P].

吴小明 ;

刘杰 ;

莫春兰 ;

蒋恺 ;

王立 ;

陈芳 .

中国专利 :CN114388675B ,2024-04-16

[4]

一种GaN基微型LED芯片及其制备方法 [P].

吴小明 ;

刘杰 ;

莫春兰 ;

蒋恺 ;

王立 ;

陈芳 .

中国专利 :CN114388675A ,2022-04-22

[5]

一种LED发光芯片的新型倒装结构及其制备方法 [P].

郝锐 ;

易翰翔 ;

刘洋 ;

许徳裕 .

中国专利 :CN105489745A ,2016-04-13

[6]

薄膜结构的LED芯片及其制造方法 [P].

黄慧诗 ;

张秀敏 ;

华斌 ;

郑宝玉 .

中国专利 :CN107910406A ,2018-04-13

[7]

一种具有ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法 [P].

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN106129205B ,2016-11-16

[8]

LED芯片结构及其制备方法 [P].

周智斌 ;

郭恩卿 ;

徐平 .

中国专利 :CN108400206A ,2018-08-14

[9]

LED芯片结构及其制备方法 [P].

周智斌 ;

周丽思 ;

郭恩卿 ;

徐平 .

中国专利 :CN108336200A ,2018-07-27

[10]

一种LED芯片的外延结构及其制备方法 [P].

张紫辉 ;

寇建权 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN110190162A ,2019-08-30

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