一种GaN基倒装薄膜结构近紫外LED芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721017643.2

申请日：

2017-08-15

公开(公告)号：

CN207116466U

公开(公告)日：

2018-03-16

发明(设计)人：

刘晓燕陈志涛曾昭烩龚政刘久澄任远李叶林

申请人：

申请人地址：

510651 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3340 H01L3322 H01L3300

代理机构：

广东世纪专利事务所 44216

代理人：

刘卉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-16	授权	授权
2022-11-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/38 变更事项:专利权人变更前:广东省半导体产业技术研究院变更后:广东省科学院半导体研究所变更事项:地址变更前:510651 广东省广州市天河区长兴路363号变更后:510651 广东省广州市天河区长兴路363号

共 50 条

[1]

一种GaN基倒装薄膜结构近紫外LED的制备方法 [P].

刘晓燕 ;

陈志涛 ;

曾昭烩 ;

龚政 ;

刘久澄 ;

任远 ;

李叶林 .

中国专利 :CN107968137A ,2018-04-27

[2]

一种深紫外倒装LED芯片 [P].

张晓娜 ;

贾晓龙 ;

郭凯 ;

李勇强 .

中国专利 :CN221551906U ,2024-08-16

[3]

一种薄膜倒装光子晶体LED芯片 [P].

兰红波 ;

丁玉成 .

中国专利 :CN202205811U ,2012-04-25

[4]

GaN基紫外LED外延结构 [P].

付羿 ;

刘卫 .

中国专利 :CN111129243A ,2020-05-08

[5]

GaN基紫外LED外延结构 [P].

付羿 ;

刘卫 .

中国专利 :CN111129243B ,2024-05-17

[6]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205406553U ,2016-07-27

[7]

一种GaN基黄光LED结构 [P].

罗艳 .

中国专利 :CN207743246U ,2018-08-17

[8]

一种GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

蔡睿彦 .

中国专利 :CN204289495U ,2015-04-22

[9]

一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构及倒装LED芯片 [P].

唐小玲 ;

夏红艺 ;

罗路遥 .

中国专利 :CN203521454U ,2014-04-02

[10]

一种倒装LED芯片 [P].

余思贤 ;

李士涛 ;

赵进超 .

中国专利 :CN217062124U ,2022-07-26

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