一种深紫外倒装LED芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323150200.9

申请日：

2023-11-22

公开(公告)号：

CN221551906U

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

张晓娜贾晓龙郭凯李勇强

申请人：

山西中科潞安紫外光电科技有限公司

申请人地址：

047500 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区

IPC主分类号：

H01L33/10

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/38 H01L33/46

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390

代理人：

徐瑞林

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种深紫外LED芯片 [P].

金屹 ;

吴艳媚 ;

吴日胜 .

中国专利 :CN211957674U ,2020-11-17

[2]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212A ,2024-04-12

[3]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212B ,2024-06-21

[4]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

郭茂峰 ;

石时曼 ;

金全鑫 ;

赵进超 ;

李士涛 ;

毕京锋 ;

范伟宏 .

中国专利 :CN113594310A ,2021-11-02

[5]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

马新刚 ;

赵进超 .

中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02

[6]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

赵进超 ;

金全鑫 ;

李东昇 .

中国专利 :CN113594312A ,2021-11-02

[7]

深紫外LED [P].

华斌 ;

何伟 .

中国专利 :CN110071201A ,2019-07-30

[8]

深紫外LED [P].

华斌 ;

何伟 .

中国专利 :CN209729941U ,2019-12-03

[9]

倒装LED芯片 [P].

赵进超 ;

逯永建 ;

李超 .

中国专利 :CN212874526U ,2021-04-02

[10]

一种深紫外LED芯片 [P].

金屹 ;

吴艳媚 ;

吴日胜 .

中国专利 :CN111244240B ,2024-08-30

← 1 2 3 4 5 →