一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410282477.7

申请日：

2024-03-13

公开(公告)号：

CN117878212A

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

俄文文李开心郭凯徐广源张童李晋闽

申请人：

山西中科潞安紫外光电科技有限公司

申请人地址：

046011 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区

IPC主分类号：

H01L33/38

IPC分类号：

H01L33/40 H01L33/00

代理机构：

太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119

代理人：

史鹏飞

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-21	授权	授权
2025-12-19	luan-uv.cn 电话：18835570008发明名称:一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法使用费支付方式:一次付清使用费支付标准:采用一次总付的方式，在合同生效后30日内一次性全额支付所有使用费1000000元。授权公告日:20240621许可期限届满日:20271231生效日期:20251219	开放许可声明IPC(主分类):H01L 33/38声明编号:XK2025980020182申请日:20240313专利权人:山西中科潞安紫外光电科技有限公司联系方式:联系人姓名：张童邮编：047500 地址：山西省长治市高新区漳泽新型工业园区电子邮箱：zhangtong
2024-04-12	公开	公开
2024-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/38申请日:20240313

共 50 条

[1]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212B ,2024-06-21

[2]

一种倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王雪 ;

崔志勇 .

中国专利 :CN113410346A ,2021-09-17

[3]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 .

中国专利 :CN115000275B ,2025-07-25

[4]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 .

中国专利 :CN115000275A ,2022-09-02

[5]

一种深紫外倒装LED芯片 [P].

张晓娜 ;

贾晓龙 ;

郭凯 ;

李勇强 .

中国专利 :CN221551906U ,2024-08-16

[6]

一种深紫外LED芯片及制备方法 [P].

廖翊韬 .

中国专利 :CN118299486A ,2024-07-05

[7]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 ;

张向鹏 ;

李勇强 .

中国专利 :CN113410360A ,2021-09-17

[8]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

郭茂峰 ;

石时曼 ;

金全鑫 ;

赵进超 ;

李士涛 ;

毕京锋 ;

范伟宏 .

中国专利 :CN113594310A ,2021-11-02

[9]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

马新刚 ;

赵进超 .

中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02

[10]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

赵进超 ;

金全鑫 ;

李东昇 .

中国专利 :CN113594312A ,2021-11-02

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