一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110828168.1

申请日：

2021-07-21

公开(公告)号：

CN113410360A

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

张晓娜张向鹏李勇强

申请人：

申请人地址：

047500 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3320 H01L3300

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390

代理人：

郝亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20210721
2021-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 .

中国专利 :CN115000275B ,2025-07-25

[2]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 .

中国专利 :CN115000275A ,2022-09-02

[3]

一种倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王雪 ;

崔志勇 .

中国专利 :CN113410346A ,2021-09-17

[4]

一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法 [P].

张晓娜 ;

张向鹏 ;

郭凯 ;

王雪 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113851566B ,2021-12-28

[5]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212A ,2024-04-12

[6]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212B ,2024-06-21

[7]

一种深紫外LED集成芯片及其制备方法 [P].

张会雪 ;

郑志华 ;

吴峰 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN112510043B ,2021-03-16

[8]

一种深紫外LED倒装芯片 [P].

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215184029U ,2021-12-14

[9]

倒装深紫外LED及其制备方法 [P].

范谦 ;

倪贤锋 ;

曹荣兵 ;

崔莹 .

中国专利 :CN113555479A ,2021-10-26

[10]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

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