一种深紫外LED集成芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011389019.1

申请日：

2020-12-01

公开(公告)号：

CN112510043B

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

张会雪郑志华吴峰戴江南陈长清

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L3320 H01L3332 H01L3336

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

许恒恒;李智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	授权	授权
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20201201
2021-03-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 ;

张向鹏 ;

李勇强 .

中国专利 :CN113410360A ,2021-09-17

[2]

一种深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

周圣军 ;

刘梦玲 ;

徐浩浩 .

中国专利 :CN110265516A ,2019-09-20

[3]

深紫外LED芯片制备方法 [P].

彭翔 .

中国专利 :CN111129236A ,2020-05-08

[4]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

[5]

深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 .

中国专利 :CN115566118A ,2023-01-03

[6]

深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 .

中国专利 :CN115566118B ,2024-09-13

[7]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 .

中国专利 :CN115000275B ,2025-07-25

[8]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 .

中国专利 :CN115000275A ,2022-09-02

[9]

深紫外LED芯片及其制备方法、封装结构及其封装方法 [P].

郭凯 ;

张童 ;

李超 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN118507631A ,2024-08-16

[10]

一种深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

郭凯 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN119907377A ,2025-04-29

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