深紫外LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211322632.0

申请日：

2022-10-28

公开(公告)号：

CN115566118B

公开(公告)日：

2024-09-13

发明(设计)人：

倪贤锋范谦

申请人：

苏州汉骅半导体有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区长阳街259号钟园工业坊B0-1F西侧

IPC主分类号：

H01L33/10

IPC分类号：

H01L33/02 H01L33/64 H01L33/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 .

中国专利 :CN115566118A ,2023-01-03

[2]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

[3]

深紫外LED芯片制备方法 [P].

彭翔 .

中国专利 :CN111129236A ,2020-05-08

[4]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212A ,2024-04-12

[5]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212B ,2024-06-21

[6]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113745382A ,2021-12-03

[7]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

郭茂峰 ;

石时曼 ;

金全鑫 ;

赵进超 ;

李士涛 ;

毕京锋 ;

范伟宏 .

中国专利 :CN113594310A ,2021-11-02

[8]

薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

郭亚楠 ;

刘乃鑫 ;

魏学成 ;

李晋闽 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN120769626A ,2025-10-10

[9]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

马新刚 ;

赵进超 .

中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02

[10]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

赵进超 ;

金全鑫 ;

李东昇 .

中国专利 :CN113594312A ,2021-11-02

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