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深紫外LED芯片及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111296796.6
申请日：
2021-11-04
公开(公告)号：
CN113745382A
公开(公告)日：
2021-12-03
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
310000 浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层
IPC主分类号：
H01L3320
IPC分类号：
H01L3324
H01L3338
H01L3300
代理机构：
北京高沃律师事务所 11569
代理人：
赵丽恒
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20211104 |
| 2022-05-10 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/20 登记生效日:20220428 变更事项:专利权人 变更前权利人:至芯半导体（杭州）有限公司 变更后权利人:至芯半导体（杭州）有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:310000 浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层 变更后权利人:310000 浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层 变更事项:专利权人 变更后权利人:杭州若奇技术有限公司 |
| 2022-02-11 | 授权 | 授权 |
| 2021-12-03 | 公开 | 公开 |