深紫外LED芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110651582.X

申请日：

2021-06-11

公开(公告)号：

CN113594310A

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

郭茂峰石时曼金全鑫赵进超李士涛毕京锋范伟宏

申请人：

申请人地址：

361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3314 H01L3324 H01L3342 H01L3344 H01L3346 H01L3300

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;杨思雨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-02	公开	公开
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20210611

共 50 条

[1]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

赵进超 ;

金全鑫 ;

李东昇 .

中国专利 :CN113594312A ,2021-11-02

[2]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

马新刚 ;

赵进超 .

中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02

[3]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113745382A ,2021-12-03

[4]

一种深紫外倒装LED芯片 [P].

张晓娜 ;

贾晓龙 ;

郭凯 ;

李勇强 .

中国专利 :CN221551906U ,2024-08-16

[5]

一种深紫外LED及其制作方法 [P].

霍丽艳 ;

滕龙 ;

吴洪浩 ;

周瑜 ;

刘兆 .

中国专利 :CN112951961B ,2021-06-11

[6]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[7]

深紫外LED [P].

华斌 ;

何伟 .

中国专利 :CN110071201A ,2019-07-30

[8]

深紫外LED [P].

华斌 ;

何伟 .

中国专利 :CN209729941U ,2019-12-03

[9]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212A ,2024-04-12

[10]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212B ,2024-06-21

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