深紫外LED

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920461069.2

申请日：

2019-04-09

公开(公告)号：

CN209729941U

公开(公告)日：

2019-12-03

发明(设计)人：

华斌何伟

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-28	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/14 变更事项:专利权人变更前:苏州汉骅半导体有限公司变更后:苏州汉骅半导体有限公司变更事项:地址变更前:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室变更后:215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区长阳街259号钟园工业坊B0-1F西侧
2019-12-03	授权	授权

共 50 条

[1]

深紫外LED [P].

华斌 ;

何伟 .

中国专利 :CN110071201A ,2019-07-30

[2]

一种深紫外倒装LED芯片 [P].

张晓娜 ;

贾晓龙 ;

郭凯 ;

李勇强 .

中国专利 :CN221551906U ,2024-08-16

[3]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

郭茂峰 ;

石时曼 ;

金全鑫 ;

赵进超 ;

李士涛 ;

毕京锋 ;

范伟宏 .

中国专利 :CN113594310A ,2021-11-02

[4]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

马新刚 ;

赵进超 .

中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02

[5]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

赵进超 ;

金全鑫 ;

李东昇 .

中国专利 :CN113594312A ,2021-11-02

[6]

深紫外LED [P].

平山秀树 ;

鹿岛行雄 ;

松浦惠里子 ;

筱原秀敏 ;

岩井武 ;

长野丞益 ;

上村隆一郎 ;

长田大和 ;

祝迫恭 ;

大神裕之 ;

毛利健吾 .

日本专利 :CN120167147A ,2025-06-17

[7]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113745382A ,2021-12-03

[8]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[9]

一种深紫外LED及其制作方法 [P].

霍丽艳 ;

滕龙 ;

吴洪浩 ;

周瑜 ;

刘兆 .

中国专利 :CN112951961B ,2021-06-11

[10]

一种深紫外LED芯片及制备方法 [P].

廖翊韬 .

中国专利 :CN118299486A ,2024-07-05

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