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一种深紫外LED芯片及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410723048.9
申请日：
2024-06-05
公开(公告)号：
CN118299486A
公开(公告)日：
2024-07-05
发明(设计)人：
廖翊韬
申请人：
徐州立羽高科技有限责任公司
申请人地址：
221000 江苏省徐州市高新技术产业开发区经纬路5号电子信息厂房一号一层
IPC主分类号：
H01L33/40
IPC分类号：
H01L33/44 H01L33/14 H01L33/00
代理机构：
江苏南通瀛信专利代理事务所(普通合伙) 32579
代理人：
代梦琴
法律状态：
发明专利申请公布后的撤回
国省代码：
江苏省 徐州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-08-06 发明专利申请公布后的撤回 发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):H01L 33/40申请公布日:20240705
2024-07-05 公开 公开
2024-07-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/40申请日:20240605
共 50 条
[1]
一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P]. 
俄文文 ;
李开心 ;
郭凯 ;
徐广源 ;
张童 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN117878212A ,2024-04-12
[2]
一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P]. 
俄文文 ;
李开心 ;
郭凯 ;
徐广源 ;
张童 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN117878212B ,2024-06-21
[3]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
郭茂峰 ;
石时曼 ;
金全鑫 ;
赵进超 ;
李士涛 ;
毕京锋 ;
范伟宏 .
中国专利 :CN113594310A ,2021-11-02
[4]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
范伟宏 ;
毕京锋 ;
郭茂峰 ;
李士涛 ;
马新刚 ;
赵进超 .
中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02
[5]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
范伟宏 ;
毕京锋 ;
郭茂峰 ;
李士涛 ;
赵进超 ;
金全鑫 ;
李东昇 .
中国专利 :CN113594312A ,2021-11-02
[6]
一种深紫外LED芯片的制备方法及深紫外LED芯片 [P]. 
曹一伟 ;
陈凯 ;
旷明胜 .
中国专利 :CN119545993A ,2025-02-28
[7]
深紫外LED芯片制备方法 [P]. 
彭翔 .
中国专利 :CN111129236A ,2020-05-08
[8]
一种深紫外倒装LED芯片 [P]. 
张晓娜 ;
贾晓龙 ;
郭凯 ;
李勇强 .
中国专利 :CN221551906U ,2024-08-16
[9]
一种深紫外LED芯片及其制备方法 [P]. 
周圣军 ;
刘梦玲 ;
徐浩浩 .
中国专利 :CN110265516A ,2019-09-20
[10]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN113745382A ,2021-12-03
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