深紫外LED

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380075103.1

申请日：

2023-10-24

公开(公告)号：

CN120167147A

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

平山秀树鹿岛行雄松浦惠里子筱原秀敏岩井武长野丞益上村隆一郎长田大和祝迫恭大神裕之毛利健吾

申请人：

国立研究开发法人理化学研究所芝浦机械株式会社东京应化工业株式会社大日本印刷株式会社株式会社爱发科

申请人地址：

日本埼玉县

IPC主分类号：

H10H20/814

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/825 H10H20/833

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;赵子翔

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	公开	公开
2025-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/814申请日:20231024

共 50 条

[1]

深紫外LED及其制造方法 [P].

鹿岛行雄 ;

松浦惠里子 ;

小久保光典 ;

田代贵晴 ;

平山秀树 ;

上村隆一郎 ;

长田大和 ;

森田敏郎 .

中国专利 :CN107534072A ,2018-01-02

[2]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[3]

深紫外LED及其制造方法 [P].

鹿岛行雄 ;

松浦惠里子 ;

小久保光典 ;

田代贵晴 ;

大川贵史 ;

平山秀树 ;

前田哲利 ;

定昌史 ;

上村隆一郎 ;

长田大和 ;

岛谷聪 .

中国专利 :CN107210336A ,2017-09-26

[4]

深紫外LED [P].

华斌 ;

何伟 .

中国专利 :CN110071201A ,2019-07-30

[5]

深紫外LED [P].

华斌 ;

何伟 .

中国专利 :CN209729941U ,2019-12-03

[6]

具有横向光回收结构的深紫外LED的制备方法及深紫外LED [P].

孙晓娟 ;

胡博宇 ;

蒋科 ;

黎大兵 ;

吕顺鹏 ;

贲建伟 ;

张山丽 .

中国专利 :CN120751843A ,2025-10-03

[7]

一种深紫外LED芯片 [P].

金屹 ;

吴艳媚 ;

吴日胜 .

中国专利 :CN211957674U ,2020-11-17

[8]

一种深紫外LED结构 [P].

王巧 ;

陈志涛 ;

王君君 ;

张康 ;

刘宁炀 ;

曾巧玉 ;

黄玉婷 .

中国专利 :CN208655681U ,2019-03-26

[9]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

郭茂峰 ;

石时曼 ;

金全鑫 ;

赵进超 ;

李士涛 ;

毕京锋 ;

范伟宏 .

中国专利 :CN113594310A ,2021-11-02

[10]

深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

马新刚 ;

赵进超 .

中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02

← 1 2 3 4 5 →