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垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211604495.X
申请日：
2022-12-13
公开(公告)号：
CN118198218A
公开(公告)日：
2024-06-14
发明(设计)人：
周圣军 杜鹏 钱胤佐
申请人：
武汉大学
申请人地址：
430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
IPC主分类号：
H01L33/12
IPC分类号：
H01L33/00 H01L33/20 H01L33/58 H01L33/44
代理机构：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222
代理人：
詹艺
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
湖北省 武汉市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-07-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/12申请日:20221213
2024-06-14 公开 公开
共 50 条
[1]
垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构 [P]. 
范伟宏 ;
毕京锋 ;
郭茂峰 ;
李士涛 ;
赵进超 ;
石时曼 ;
金全鑫 .
中国专利 :CN113611779A ,2021-11-05
[2]
隧道结垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
周圣军 ;
杜鹏 ;
钱胤佐 .
中国专利 :CN118231537A ,2024-06-21
[3]
一种垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
刘军林 ;
吕全江 .
中国专利 :CN112864293A ,2021-05-28
[4]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN113745382A ,2021-12-03
[5]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
郭茂峰 ;
石时曼 ;
金全鑫 ;
赵进超 ;
李士涛 ;
毕京锋 ;
范伟宏 .
中国专利 :CN113594310A ,2021-11-02
[6]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
范伟宏 ;
毕京锋 ;
郭茂峰 ;
李士涛 ;
马新刚 ;
赵进超 .
中国专利 :CN113594311A ,2021-11-02
[7]
深紫外LED芯片及其制造方法 [P]. 
范伟宏 ;
毕京锋 ;
郭茂峰 ;
李士涛 ;
赵进超 ;
金全鑫 ;
李东昇 .
中国专利 :CN113594312A ,2021-11-02
[8]
一种基于多孔结构的深紫外垂直结构LED及其制备方法 [P]. 
张敏妍 ;
张宇鹏 ;
林礼涛 ;
云峰 .
中国专利 :CN119170717A ,2024-12-20
[9]
亚微米垂直结构深紫外LED制备工艺以及其制成的深紫外LED [P]. 
王永进 .
中国专利 :CN111725361A ,2020-09-29
[10]
一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法 [P]. 
周圣军 ;
徐浩浩 ;
万泽洪 .
中国专利 :CN111599906B ,2020-08-28
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