垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110717833.X

申请日：

2021-06-28

公开(公告)号：

CN113611779A

公开(公告)日：

2021-11-05

发明(设计)人：

范伟宏毕京锋郭茂峰李士涛赵进超石时曼金全鑫

申请人：

申请人地址：

361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3308 H01L3314 H01L3336 H01L3344 H01L3346

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;杨思雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20210628
2021-11-05	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

周圣军 ;

杜鹏 ;

钱胤佐 .

中国专利 :CN118198218A ,2024-06-14

[2]

深紫外LED的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

张爽 ;

郑志华 ;

陈长清 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109461799A ,2019-03-12

[3]

一种深紫外LED芯片的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

郑志华 ;

张毅 ;

张爽 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN109103313A ,2018-12-28

[4]

隧道结垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

周圣军 ;

杜鹏 ;

钱胤佐 .

中国专利 :CN118231537A ,2024-06-21

[5]

一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法 [P].

周圣军 ;

徐浩浩 ;

万泽洪 .

中国专利 :CN111599906B ,2020-08-28

[6]

深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法 [P].

齐胜利 ;

郭丽彬 ;

周飚 ;

刘亚柱 .

中国专利 :CN112768580B ,2021-05-07

[7]

一种新型的深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王敦年 .

中国专利 :CN208014725U ,2018-10-26

[8]

一种垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

刘军林 ;

吕全江 .

中国专利 :CN112864293A ,2021-05-28

[9]

一种同侧结构的深紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN208077977U ,2018-11-09

[10]

一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法 [P].

彭孟 ;

许琳琳 ;

陈剑 ;

尹君扬 ;

刘念 ;

张毅 ;

戴江南 ;

张伟 ;

何云斌 ;

陈长清 .

中国专利 :CN121218747A ,2025-12-26

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