深紫外LED的外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811093229.9

申请日：

2018-09-19

公开(公告)号：

CN109461799A

公开(公告)日：

2019-03-12

发明(设计)人：

陈谦高扬张爽郑志华陈长清其他发明人请求不公开姓名

申请人：

申请人地址：

436044 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道特一号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3300

代理机构：

杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231

代理人：

张宇娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20180919
2019-03-12	公开	公开
2021-06-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/04 申请公布日:20190312

共 50 条

[1]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[2]

用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115207176B ,2022-12-30

[3]

深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112270A ,2019-08-09

[4]

一种新型的深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王敦年 .

中国专利 :CN208014725U ,2018-10-26

[5]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[6]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898B ,2024-06-11

[7]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898A ,2024-04-16

[8]

深紫外LED外延片及其制备方法、LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115332408A ,2022-11-11

[9]

一种深紫外LED芯片的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

郑志华 ;

张毅 ;

张爽 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN109103313A ,2018-12-28

[10]

一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法 [P].

彭孟 ;

许琳琳 ;

陈剑 ;

尹君扬 ;

刘念 ;

张毅 ;

戴江南 ;

张伟 ;

何云斌 ;

陈长清 .

中国专利 :CN121218747A ,2025-12-26

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