深紫外LED外延片及其制备方法、LED

被引：0

申请号：

CN202211271053.8

申请日：

2022-10-18

公开(公告)号：

CN115332408A

公开(公告)日：

2022-11-11

发明(设计)人：

郑文杰程龙高虹刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306 H01L3322 H01L3332 H01L3300

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

王建宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	授权	授权
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20221018
2022-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[2]

用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115207176B ,2022-12-30

[3]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898B ,2024-06-11

[4]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898A ,2024-04-16

[5]

深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112270A ,2019-08-09

[6]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115911207B ,2025-07-25

[7]

GaN基绿光LED外延片及其制备方法、LED [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117239025B ,2024-02-20

[8]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

[9]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117712247A ,2024-03-15

[10]

AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08

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