学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

AlGaN基深紫外LED外延片

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202021484612.X
申请日：
2020-07-24
公开(公告)号：
CN212323022U
公开(公告)日：
2021-01-08
发明(设计)人：
高芳亮 杨金铭
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611
IPC主分类号：
H01L3310
IPC分类号：
H01L3300 H01L3306 H01L3314 H01L3332
代理机构：
深圳市精英专利事务所 44242
代理人：
武志峰
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-01-08 授权 授权
共 50 条
[1]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989A ,2020-10-02
[2]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989B ,2025-11-11
[3]
非极性AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN212323021U ,2021-01-08
[4]
一种AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN213816179U ,2021-07-27
[5]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN213816182U ,2021-07-27
[6]
非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111916537A ,2020-11-10
[7]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112563380A ,2021-03-26
[8]
一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112271240B ,2024-11-19
[9]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112563380B ,2025-06-20
[10]
一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112271240A ,2021-01-26
12345