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Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011549420.7
申请日：
2020-12-24
公开(公告)号：
CN112563380A
公开(公告)日：
2021-03-26
发明(设计)人：
高芳亮
杨金铭
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611
IPC主分类号：
H01L3332
IPC分类号：
H01L3312
H01L3306
H01L3300
代理机构：
深圳市精英专利事务所 44242
代理人：
武志峰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-04-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20201224 |