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一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011329853.1
申请日：
2020-11-24
公开(公告)号：
CN112271240B
公开(公告)日：
2024-11-19
发明(设计)人：
高芳亮 杨金铭
申请人：
深圳市昂德环球科技有限公司 惠州市三航无人机技术研究院
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611
IPC主分类号：
H01L33/12
IPC分类号：
H01L33/32 H01L33/00 B82Y30/00 B82Y40/00
代理机构：
深圳市精英专利事务所 44242
代理人：
武志峰
法律状态：
授权
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-19 授权 授权
共 50 条
[1]
一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112271240A ,2021-01-26
[2]
一种AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN213816179U ,2021-07-27
[3]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989A ,2020-10-02
[4]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989B ,2025-11-11
[5]
AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08
[6]
非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111916537A ,2020-11-10
[7]
非极性AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN212323021U ,2021-01-08
[8]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112563380A ,2021-03-26
[9]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112563380B ,2025-06-20
[10]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN213816182U ,2021-07-27
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