深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910387869.9

申请日：

2019-05-10

公开(公告)号：

CN110112270A

公开(公告)日：

2019-08-09

发明(设计)人：

徐孝灵黄小辉王小文康健郑远志陈向东

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市马鞍山经济技术开发区宝庆路399号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘会景;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-09	公开	公开
2019-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20190510
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/12 申请公布日:20190809

共 50 条

[1]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898B ,2024-06-11

[2]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898A ,2024-04-16

[3]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[4]

深紫外LED外延片及其制备方法、LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115332408A ,2022-11-11

[5]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

[6]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[7]

AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08

[8]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115911207B ,2025-07-25

[9]

AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN111739989A ,2020-10-02

[10]

AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN111739989B ,2025-11-11

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