一种同侧结构的深紫外LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820710141.6

申请日：

2018-05-11

公开(公告)号：

CN208077977U

公开(公告)日：

2018-11-09

发明(设计)人：

何苗杨思攀赵韦人王成民

申请人：

申请人地址：

510060 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L3322 H01L3300 H01L2160

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

罗满

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/16 申请日:20180511 授权公告日:20181109 终止日期:20200511
2018-11-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种同侧结构的深紫外LED外延结构制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN108400133B ,2025-03-25

[2]

一种同侧结构的深紫外LED外延结构及制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN108400133A ,2018-08-14

[3]

一种新型的深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王敦年 .

中国专利 :CN208014725U ,2018-10-26

[4]

一种深紫外LED外延结构 [P].

孙卿 ;

汤磊 ;

罗邵军 ;

杨福华 .

中国专利 :CN207265079U ,2018-04-20

[5]

深紫外LED的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

张爽 ;

郑志华 ;

陈长清 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109461799A ,2019-03-12

[6]

一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法 [P].

彭孟 ;

许琳琳 ;

陈剑 ;

尹君扬 ;

刘念 ;

张毅 ;

戴江南 ;

张伟 ;

何云斌 ;

陈长清 .

中国专利 :CN121218747A ,2025-12-26

[7]

一种紫外LED外延芯片倒装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

周海亮 ;

王润 .

中国专利 :CN206947377U ,2018-01-30

[8]

垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构 [P].

范伟宏 ;

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

赵进超 ;

石时曼 ;

金全鑫 .

中国专利 :CN113611779A ,2021-11-05

[9]

一种深紫外LED外延芯片封装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN208596699U ,2019-03-12

[10]

深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法 [P].

齐胜利 ;

郭丽彬 ;

周飚 ;

刘亚柱 .

中国专利 :CN112768580B ,2021-05-07

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