一种深紫外LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720340258.5

申请日：

2017-04-01

公开(公告)号：

CN207265079U

公开(公告)日：

2018-04-20

发明(设计)人：

孙卿汤磊罗邵军杨福华

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区东湖新技术开发区光谷大道特1号国际企业中心3栋4层04号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3302 H01L3312 H01L3314 H01L3332

代理机构：

武汉开元知识产权代理有限公司 42104

代理人：

俞鸿

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

孙卿 ;

汤磊 ;

罗邵军 ;

杨福华 .

中国专利 :CN106981548A ,2017-07-25

[2]

一种新型的深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王敦年 .

中国专利 :CN208014725U ,2018-10-26

[3]

深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法 [P].

齐胜利 ;

郭丽彬 ;

周飚 ;

刘亚柱 .

中国专利 :CN112768580B ,2021-05-07

[4]

一种深紫外LED外延芯片封装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN208596699U ,2019-03-12

[5]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[6]

一种同侧结构的深紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN208077977U ,2018-11-09

[7]

一种AlGaN基深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王山林 .

中国专利 :CN208014724U ,2018-10-26

[8]

AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08

[9]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898B ,2024-06-11

[10]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898A ,2024-04-16

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