一种AlGaN基深紫外LED外延结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201820211257.5
申请日
2018-02-06
公开(公告)号
CN208014724U
公开(公告)日
2018-10-26
发明(设计)人
尹以安 王山林
申请人
申请人地址
510631 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学
IPC主分类号
H01L3306
IPC分类号
H01L3332
代理机构
广州圣理华知识产权代理有限公司 44302
代理人
顿海舟;李唐明
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08
[2]
一种AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN213816179U ,2021-07-27
[3]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN213816182U ,2021-07-27
[4]
非极性AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN212323021U ,2021-01-08
[5]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989A ,2020-10-02
[6]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989B ,2025-11-11
[7]
一种提高光输出的AlGaN基深紫外LED外延结构 [P]. 
尹以安 ;
王敦年 .
中国专利 :CN108231965B ,2018-06-29
[8]
一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112271240B ,2024-11-19
[9]
一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112271240A ,2021-01-26
[10]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112563380A ,2021-03-26