一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210786457.4

申请日：

2022-07-04

公开(公告)号：

CN115000275B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

张晓娜

申请人：

山西中科潞安半导体技术研究院有限公司

申请人地址：

047500 山西省长治市长治高新区漳泽新型工业园区

IPC主分类号：

H10H20/85

IPC分类号：

H10H20/01 H10H20/831

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390

代理人：

李莹

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 .

中国专利 :CN115000275A ,2022-09-02

[2]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

张晓娜 ;

张向鹏 ;

李勇强 .

中国专利 :CN113410360A ,2021-09-17

[3]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212A ,2024-04-12

[4]

一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P].

俄文文 ;

李开心 ;

郭凯 ;

徐广源 ;

张童 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN117878212B ,2024-06-21

[5]

一种倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王雪 ;

崔志勇 .

中国专利 :CN113410346A ,2021-09-17

[6]

一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法 [P].

张晓娜 ;

张向鹏 ;

郭凯 ;

王雪 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113851566B ,2021-12-28

[7]

一种深紫外LED倒装芯片 [P].

闫志超 ;

黄小辉 ;

李大超 .

中国专利 :CN215184029U ,2021-12-14

[8]

倒装深紫外LED及其制备方法 [P].

范谦 ;

倪贤锋 ;

曹荣兵 ;

崔莹 .

中国专利 :CN113555479A ,2021-10-26

[9]

深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12

[10]

深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 .

中国专利 :CN115566118A ,2023-01-03

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