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一种深紫外LED芯片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510388465.7
申请日：
2025-03-31
公开(公告)号：
CN119907377A
公开(公告)日：
2025-04-29
发明(设计)人：
郭凯 李晋闽
申请人：
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请人地址：
046011 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
IPC主分类号：
H10H20/831
IPC分类号：
H10H20/857 H10H20/858 H10H20/84 H10H20/01 H10H29/14
代理机构：
太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119
代理人：
杜江涛
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/831申请日:20250331
2025-04-29 公开 公开
共 50 条
[1]
一种深紫外LED芯片及其制备方法 [P]. 
周圣军 ;
刘梦玲 ;
徐浩浩 .
中国专利 :CN110265516A ,2019-09-20
[2]
深紫外Micro-LED芯片及其制备方法 [P]. 
周圣军 ;
刘旭 .
中国专利 :CN120769627A ,2025-10-10
[3]
深紫外LED芯片制备方法 [P]. 
彭翔 .
中国专利 :CN111129236A ,2020-05-08
[4]
一种深紫外LED芯片 [P]. 
段瑞飞 ;
杜泽杰 ;
王文军 ;
王晓东 ;
陈皓 ;
羊建坤 ;
冉军学 ;
王军喜 ;
曾一平 .
中国专利 :CN206558530U ,2017-10-13
[5]
一种倒装深紫外LED芯片及其制作方法 [P]. 
梁仁瓅 .
中国专利 :CN113540310A ,2021-10-22
[6]
深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法 [P]. 
何苗 ;
丛海云 ;
黄仕华 ;
熊德平 .
中国专利 :CN109616561B ,2019-04-12
[7]
深紫外LED芯片及其制备方法 [P]. 
倪贤锋 ;
范谦 .
中国专利 :CN115566118A ,2023-01-03
[8]
深紫外LED芯片及其制备方法 [P]. 
倪贤锋 ;
范谦 .
中国专利 :CN115566118B ,2024-09-13
[9]
一种深紫外LED及其制备方法 [P]. 
郭康贤 ;
程权炜 .
中国专利 :CN114420800A ,2022-04-29
[10]
一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法 [P]. 
俄文文 ;
李开心 ;
郭凯 ;
徐广源 ;
张童 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN117878212A ,2024-04-12
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