紫外GaN基LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620155185.8

申请日：

2016-03-01

公开(公告)号：

CN205406553U

公开(公告)日：

2016-07-27

发明(设计)人：

冯猛陈立人刘恒山

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235

代理人：

杨林洁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-27	授权	授权

共 50 条

[1]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742429A ,2016-07-06

[2]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205385037U ,2016-07-13

[3]

GaN基紫外LED外延结构 [P].

付羿 ;

刘卫 .

中国专利 :CN111129243A ,2020-05-08

[4]

GaN基紫外LED外延结构 [P].

付羿 ;

刘卫 .

中国专利 :CN111129243B ,2024-05-17

[5]

GaN基LED外延结构 [P].

刘恒山 ;

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN204809246U ,2015-11-25

[6]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742415B ,2016-07-06

[7]

GaN基LED外延结构 [P].

刘恒山 ;

刘慰华 ;

冯猛 ;

陈伟 ;

陈立人 .

中国专利 :CN205092260U ,2016-03-16

[8]

宽频谱GaN基LED外延结构 [P].

刘恒山 ;

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN205900577U ,2017-01-18

[9]

SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P].

蒋建华 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

黄慧诗 ;

闫晓密 .

中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14

[10]

铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯 [P].

李光 .

中国专利 :CN209266432U ,2019-08-16

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