铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920142168.4

申请日：

2019-01-25

公开(公告)号：

CN209266432U

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

李光

申请人：

申请人地址：

518101 广东省深圳市宝安区福永街道桥头社区永福路112号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

叶剑

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	授权	授权

共 50 条

[1]

铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯 [P].

李光 ;

郑悠 ;

白耀平 .

中国专利 :CN110600595A ,2019-12-20

[2]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205406553U ,2016-07-27

[3]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205385037U ,2016-07-13

[4]

紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

郑悠 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 .

中国专利 :CN109950371A ,2019-06-28

[5]

AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08

[6]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742429A ,2016-07-06

[7]

AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法 [P].

舒俊 ;

张彩霞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115842079B ,2024-02-02

[8]

紫外LED外延制备方法和紫外LED [P].

黄小辉 ;

王小文 ;

郑远志 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108183152A ,2018-06-19

[9]

紫外LED外延结构及光源器件 [P].

李锋 ;

吉爱华 .

中国专利 :CN212750914U ,2021-03-19

[10]

一种铝镓氮基紫外光源器件的结构 [P].

贺龙飞 ;

陈志涛 ;

赵维 ;

张康 ;

吴华龙 ;

何晨光 ;

王巧 ;

刘云洲 ;

廖乾光 .

中国专利 :CN207731944U ,2018-08-14

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