SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510274602.0

申请日：

2015-05-26

公开(公告)号：

CN104979446A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

蒋建华梁红伟夏晓川黄慧诗闫晓密

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3310

代理机构：

大连星海专利事务所 21208

代理人：

裴毓英

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20151014
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633319282 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2015102746020 申请日:20150526
2015-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN109148657B ,2019-01-04

[2]

GaN基紫外LED外延结构 [P].

付羿 ;

刘卫 .

中国专利 :CN111129243A ,2020-05-08

[3]

GaN基紫外LED外延结构 [P].

付羿 ;

刘卫 .

中国专利 :CN111129243B ,2024-05-17

[4]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205406553U ,2016-07-27

[5]

在SiC衬底上形成的GaN基LED [P].

D·T·埃默森 ;

A·C·阿贝尔 ;

M·J·伯格曼 .

中国专利 :CN1505843B ,2004-06-16

[6]

一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法 [P].

梁红伟 ;

柳阳 ;

杜国同 ;

申人升 ;

夏晓川 .

中国专利 :CN103730549A ,2014-04-16

[7]

在SiC衬底上形成的GaN基LED [P].

D·T·埃默森 ;

A·C·阿贝尔 ;

M·J·伯格曼 .

中国专利 :CN101834245A ,2010-09-15

[8]

AlGaN基SiC衬底的紫外LED制作方法 [P].

郝跃 ;

杨凌 ;

马晓华 ;

周小伟 ;

李培咸 .

中国专利 :CN101515617B ,2009-08-26

[9]

一种SiC衬底GaN基LED的制备方法 [P].

路旺培 .

中国专利 :CN103606603A ,2014-02-26

[10]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117712247A ,2024-03-15

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