一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810764177.7

申请日：

2018-07-12

公开(公告)号：

CN109148657B

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路众拓光电

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L23373 H01L3302 H01L3300

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

秦维;汪卫军

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-15	授权	授权
2020-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20180712
2019-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

Si衬底LED外延片及其制备方法 [P].

刘波 ;

房玉龙 ;

王波 ;

袁凤坡 ;

潘鹏 ;

汪灵 ;

白欣娇 ;

周晓龙 ;

王静辉 .

中国专利 :CN105405942A ,2016-03-16

[2]

SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P].

蒋建华 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

黄慧诗 ;

闫晓密 .

中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14

[3]

一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037288B ,2014-09-10

[4]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

刘波 ;

尹甲运 ;

白欣娇 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

潘鹏 ;

汪灵 ;

周晓龙 ;

王静辉 .

中国专利 :CN105428477A ,2016-03-23

[5]

一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN111599901A ,2020-08-28

[6]

一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN108597988A ,2018-09-28

[7]

一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103035794B ,2013-04-10

[8]

一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN111599904A ,2020-08-28

[9]

一种生长在Si衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910839U ,2014-10-29

[10]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117712247A ,2024-03-15

← 1 2 3 4 5 →