一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210534913.2

申请日：

2012-12-11

公开(公告)号：

CN103035794B

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3302 H01L3300 C30B2502 C30B2518

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	公开	公开
2017-05-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750691538 IPC(主分类):H01L 33/12 专利号:ZL2012105349132 登记生效日:20170410 变更事项:专利权人变更前权利人:广州市众拓光电科技有限公司变更后权利人:河源市众拓光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房变更后权利人:517000 广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室
2015-11-11	授权	授权
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452524056 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2012105349132 申请日:20121211

共 50 条

[1]

生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037287A ,2014-09-10

[2]

一种生长在Si衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN202996885U ,2013-06-12

[3]

一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN111599904A ,2020-08-28

[4]

一种生长在Si衬底上的LED外延片 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212848468U ,2021-03-30

[5]

一种生长在Si衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910839U ,2014-10-29

[6]

一种生长在Si图形衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037293A ,2014-09-10

[7]

一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037288B ,2014-09-10

[8]

生长在Zr衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104157756A ,2014-11-19

[9]

一种生长在Si图形衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910840U ,2014-10-29

[10]

生长在Zr衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983321U ,2014-12-03

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