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一种生长在Si衬底上的LED外延片
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201220686083.0
申请日
:
2012-12-11
公开(公告)号
:
CN202996885U
公开(公告)日
:
2013-06-12
发明(设计)人
:
李国强
申请人
:
申请人地址
:
510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房
IPC主分类号
:
H01L3302
IPC分类号
:
H01L3312
代理机构
:
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288
代理人
:
汤喜友
法律状态
:
专利权的终止
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-12-27
专利权的终止
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20121211 授权公告日:20130612
2013-06-12
授权
授权
共 50 条
[1]
一种生长在Si衬底上的LED外延片
[P].
高芳亮
论文数:
0
引用数:
0
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0
高芳亮
.
中国专利
:CN212848468U
,2021-03-30
[2]
一种生长在Si衬底上的LED外延片
[P].
李国强
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0
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0
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0
李国强
.
中国专利
:CN203910839U
,2014-10-29
[3]
一种生长在Si图形衬底上的LED外延片
[P].
李国强
论文数:
0
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0
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0
李国强
.
中国专利
:CN203910840U
,2014-10-29
[4]
生长在Zr衬底上的LED外延片
[P].
李国强
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李国强
;
王文樑
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王文樑
;
杨为家
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杨为家
;
刘作莲
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刘作莲
;
林云昊
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林云昊
;
周仕忠
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周仕忠
;
钱慧荣
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钱慧荣
.
中国专利
:CN203983321U
,2014-12-03
[5]
一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法
[P].
李国强
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0
李国强
.
中国专利
:CN103035794B
,2013-04-10
[6]
生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法
[P].
李国强
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李国强
.
中国专利
:CN104037287A
,2014-09-10
[7]
一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片
[P].
高芳亮
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高芳亮
.
中国专利
:CN212542464U
,2021-02-12
[8]
生长在玻璃衬底上的LED外延片
[P].
李国强
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李国强
;
高芳亮
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高芳亮
;
王文樑
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王文樑
.
中国专利
:CN206422088U
,2017-08-18
[9]
生长在W衬底上的LED外延片
[P].
李国强
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李国强
;
王文樑
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王文樑
;
刘作莲
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刘作莲
;
杨为家
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杨为家
;
林云昊
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林云昊
;
周仕忠
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周仕忠
;
钱慧荣
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钱慧荣
.
中国专利
:CN203983319U
,2014-12-03
[10]
一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法
[P].
高芳亮
论文数:
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高芳亮
.
中国专利
:CN111599904A
,2020-08-28
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