一种生长在Si衬底上的LED外延片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420307705.3

申请日：

2014-06-10

公开(公告)号：

CN203910839U

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3316 H01L3300

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-29	授权	授权
2018-02-16	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20140610 授权公告日:20141029 放弃生效日:20180216

共 50 条

[1]

一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037288B ,2014-09-10

[2]

一种生长在Si衬底上的LED外延片 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212848468U ,2021-03-30

[3]

一种生长在Si衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN202996885U ,2013-06-12

[4]

一种生长在Si图形衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910840U ,2014-10-29

[5]

一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212542464U ,2021-02-12

[6]

生长在Ag衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895486U ,2014-10-22

[7]

生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037287A ,2014-09-10

[8]

生长在玻璃衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

王文樑 .

中国专利 :CN206422088U ,2017-08-18

[9]

生长在Zr衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983321U ,2014-12-03

[10]

生长在W衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983319U ,2014-12-03

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