紫外GaN基LED外延结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610114803.9

申请日：

2016-03-01

公开(公告)号：

CN105742415B

公开(公告)日：

2016-07-06

发明(设计)人：

冯猛陈立人刘恒山

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3304

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235

代理人：

杨林洁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	公开	公开
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672636941 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016101148039 申请日:20160301
2018-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205385037U ,2016-07-13

[2]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742429A ,2016-07-06

[3]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205406553U ,2016-07-27

[4]

GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 .

中国专利 :CN106328788B ,2017-01-11

[5]

GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN105789391A ,2016-07-20

[6]

GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN105789392A ,2016-07-20

[7]

宽频谱GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

刘恒山 ;

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN105957929A ,2016-09-21

[8]

AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 ;

陈伟 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN106299047A ,2017-01-04

[9]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

马后永 ;

琚晶 ;

李起鸣 ;

游正璋 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN105206714A ,2015-12-30

[10]

AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法 [P].

舒俊 ;

张彩霞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115842079B ,2024-02-02

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