AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610898680.2

申请日：

2016-10-17

公开(公告)号：

CN106299047A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

陈立人陈伟刘恒山

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3322

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235

代理人：

邹俊煊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	公开	公开
2019-02-22	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:申请人变更前:聚灿光电科技股份有限公司变更后:聚灿光电科技股份有限公司变更事项:地址变更前:215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号变更后:215000 江苏省苏州市工业园区月亮湾路15号中新大厦32楼01-05室
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700836153 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016108986802 申请日:20161017
2020-01-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20170104

共 50 条

[1]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742415B ,2016-07-06

[2]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742429A ,2016-07-06

[3]

AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法 [P].

舒俊 ;

张彩霞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115842079B ,2024-02-02

[4]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574B ,2025-08-01

[5]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574A ,2022-05-31

[6]

GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 .

中国专利 :CN106328788B ,2017-01-11

[7]

GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN105789392A ,2016-07-20

[8]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205406553U ,2016-07-27

[9]

一种无应变AlInGaN深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

廖峰波 .

中国专利 :CN110611019B ,2019-12-24

[10]

紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

郑悠 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 .

中国专利 :CN109950371A ,2019-06-28

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