AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610898680.2
申请日
2016-10-17
公开(公告)号
CN106299047A
公开(公告)日
2017-01-04
发明(设计)人
陈立人 陈伟 刘恒山
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3322
代理机构
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235
代理人
邹俊煊
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[11]
紫外LED外延结构及其制备方法 [P]. 
刘锐森 ;
蓝文新 ;
刘召忠 ;
林辉 ;
杨小利 .
中国专利 :CN111403568A ,2020-07-10
[12]
宽频谱GaN基LED外延结构及其制造方法 [P]. 
刘恒山 ;
陈立人 ;
冯猛 .
中国专利 :CN105957929A ,2016-09-21
[13]
LED外延结构及其制造方法、LED器件 [P]. 
杨静雯 ;
冯中山 .
中国专利 :CN114038966A ,2022-02-11
[14]
一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P]. 
李光 ;
赵平林 ;
廖加成 ;
白耀平 ;
李述体 .
中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26
[15]
铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯 [P]. 
李光 .
中国专利 :CN209266432U ,2019-08-16
[16]
GaN基LED外延结构及其制备方法 [P]. 
马后永 ;
琚晶 ;
李起鸣 ;
游正璋 ;
张宇 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN105206714A ,2015-12-30
[17]
GaN 基LED 外延结构及其制备方法 [P]. 
马后永 ;
李起鸣 ;
张宇 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN104701432A ,2015-06-10
[18]
GaN基LED外延结构及其制备方法 [P]. 
琚晶 ;
马后永 ;
游正璋 ;
李起鸣 ;
张宇 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN105336819A ,2016-02-17
[19]
GaN基LED外延结构及其制备方法 [P]. 
琚晶 ;
马后永 ;
游正璋 ;
李起鸣 ;
张宇 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN105336821A ,2016-02-17
[20]
GaN基LED外延结构及其制备方法 [P]. 
琚晶 ;
马后永 ;
游正璋 ;
李起鸣 ;
张宇 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN105140366B ,2015-12-09