紫外LED外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010217411.1

申请日：

2020-03-25

公开(公告)号：

CN111403568A

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

刘锐森蓝文新刘召忠林辉杨小利

申请人：

申请人地址：

341700 江西省赣州市龙南县经济技术开发区石人片区C-6

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3304 H01L3300

代理机构：

北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603

代理人：

于淼

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-10	公开	公开
2022-09-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/14 登记生效日:20220830 变更事项:申请人变更前权利人:江西新正耀光学研究院有限公司变更后权利人:江西力特康光学有限公司变更事项:地址变更前权利人:341700 江西省赣州市龙南县经济技术开发区石人片区C-6 变更后权利人:341700 江西省赣州市龙南市龙南县经济技术开发区石人片区(东胜路与金丰北路交汇处)
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20200325

共 50 条

[1]

紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

郑悠 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 .

中国专利 :CN109950371A ,2019-06-28

[2]

紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

蓝文新 ;

刘召忠 ;

林辉 ;

杨小利 .

中国专利 :CN111261758A ,2020-06-09

[3]

紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

蓝文新 ;

刘召忠 ;

林辉 ;

杨小利 .

中国专利 :CN111341891A ,2020-06-26

[4]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574B ,2025-08-01

[5]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574A ,2022-05-31

[6]

深紫外LED的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

张爽 ;

郑志华 ;

陈长清 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109461799A ,2019-03-12

[7]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

郭丽彬 ;

齐胜利 .

中国专利 :CN113745379A ,2021-12-03

[8]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

郭丽彬 ;

齐胜利 .

中国专利 :CN113745379B ,2024-02-02

[9]

用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115207176B ,2022-12-30

[10]

紫外LED外延制备方法和紫外LED [P].

黄小辉 ;

王小文 ;

郑远志 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108183152A ,2018-06-19

← 1 2 3 4 5 →