AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210184601.7

申请日：

2022-02-25

公开(公告)号：

CN114566574B

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

刘锐森孙钱黄应南杨勇

申请人：

广东中科半导体微纳制造技术研究院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

528000 广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号

IPC主分类号：

H10H20/812

IPC分类号：

H10H20/825 H10H20/816 H10H20/01

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	授权	授权

共 50 条

[1]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574A ,2022-05-31

[2]

AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法 [P].

舒俊 ;

张彩霞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115842079B ,2024-02-02

[3]

一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26

[4]

AlGaN基紫外LED外延结构 [P].

周启航 .

中国专利 :CN111640828A ,2020-09-08

[5]

一种AlGaN基紫外LED外延结构 [P].

谷怀民 ;

石恒志 ;

李继航 ;

刘娜娜 .

中国专利 :CN110473941A ,2019-11-19

[6]

一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法 [P].

李述体 ;

李光 ;

王林媛 .

中国专利 :CN108682722A ,2018-10-19

[7]

一种AlGaN基紫外LED外延片结构及其制备方法 [P].

李光 ;

白耀平 .

中国专利 :CN109616559A ,2019-04-12

[8]

AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN111739989A ,2020-10-02

[9]

AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08

[10]

AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN111739989B ,2025-11-11

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