一种AlGaN基紫外LED外延片结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811475914.8

申请日：

2018-12-04

公开(公告)号：

CN109616559A

公开(公告)日：

2019-04-12

发明(设计)人：

李光白耀平

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区福永街道桥头社区永福路112号A栋

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

深圳协成知识产权代理事务所(普通合伙) 44458

代理人：

周婧;伍永森

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-12	公开	公开
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/06 申请公布日:20190412
2019-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20181204

共 50 条

[1]

一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法 [P].

李述体 ;

李光 ;

王林媛 .

中国专利 :CN108682722A ,2018-10-19

[2]

一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26

[3]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574B ,2025-08-01

[4]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574A ,2022-05-31

[5]

一种GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

李述体 ;

范广涵 .

中国专利 :CN1885572A ,2006-12-27

[6]

一种紫外LED外延片结构及其制备方法 [P].

李光 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109545916B ,2019-03-29

[7]

AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片及其制备方法 [P].

宋世金 ;

雷江涛 ;

纪东 ;

马超群 .

中国专利 :CN117712257A ,2024-03-15

[8]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

李述体 ;

范广涵 .

中国专利 :CN1885573A ,2006-12-27

[9]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117712247A ,2024-03-15

[10]

AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08

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