一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810420100.8

申请日：

2018-05-04

公开(公告)号：

CN108682722A

公开(公告)日：

2018-10-19

发明(设计)人：

李述体李光王林媛

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研究所

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

王戈

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	授权	授权
2022-02-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/14 登记生效日:20220124 变更事项:专利权人变更前权利人:华南师范大学变更后权利人:江苏第三代半导体研究院有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研究所变更后权利人:215124 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
2018-10-19	公开	公开
2018-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20180504

共 50 条

[1]

一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26

[2]

一种AlGaN基紫外LED外延片结构及其制备方法 [P].

李光 ;

白耀平 .

中国专利 :CN109616559A ,2019-04-12

[3]

一种LED外延片及其制备方法 [P].

肖稼凯 ;

李述体 .

中国专利 :CN107170864A ,2017-09-15

[4]

AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片及其制备方法 [P].

宋世金 ;

雷江涛 ;

纪东 ;

马超群 .

中国专利 :CN117712257A ,2024-03-15

[5]

一种级联GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

肖志国 ;

李倩影 ;

武胜利 ;

杨天鹏 ;

唐勇 ;

孙英博 ;

薛念亮 .

中国专利 :CN103022286A ,2013-04-03

[6]

AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08

[7]

非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法 [P].

朱刘 ;

宋世金 ;

狄聚青 ;

刘浩飞 ;

张新勇 ;

苑汇帛 ;

汤惠淋 .

中国专利 :CN113257969A ,2021-08-13

[8]

一种紫外LED外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 ;

李述体 ;

李晓航 ;

罗幸君 ;

张柏林 ;

刘青 .

中国专利 :CN110429163A ,2019-11-08

[9]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574A ,2022-05-31

[10]

AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

孙钱 ;

黄应南 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114566574B ,2025-08-01

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