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非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110509475.3
申请日：
2021-05-10
公开(公告)号：
CN113257969A
公开(公告)日：
2021-08-13
发明(设计)人：
朱刘 宋世金 狄聚青 刘浩飞 张新勇 苑汇帛 汤惠淋
申请人：
申请人地址：
511500 广东省清远市清新区禾云镇工业区（鱼坝公路旁）
IPC主分类号：
H01L3316
IPC分类号：
H01L3306 H01L3314 H01L3332 H01L3300
代理机构：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人：
张向琨
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-08-31 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/16 申请日:20210510
2021-08-13 公开 公开
共 50 条
[1]
非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111916537A ,2020-11-10
[2]
非极性AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN212323021U ,2021-01-08
[3]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989A ,2020-10-02
[4]
AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN111739989B ,2025-11-11
[5]
AlGaN基深紫外LED外延片 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN212323022U ,2021-01-08
[6]
AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片及其制备方法 [P]. 
宋世金 ;
雷江涛 ;
纪东 ;
马超群 .
中国专利 :CN117712257A ,2024-03-15
[7]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112563380A ,2021-03-26
[8]
一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112271240A ,2021-01-26
[9]
一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112271240B ,2024-11-19
[10]
Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P]. 
高芳亮 ;
杨金铭 .
中国专利 :CN112563380B ,2025-06-20
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