一种GaN基倒装薄膜结构近紫外LED的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711233299.5

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

CN107968137A

公开(公告)日：

2018-04-27

发明(设计)人：

刘晓燕陈志涛曾昭烩龚政刘久澄任远李叶林

申请人：

申请人地址：

510651 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3320

代理机构：

广东世纪专利事务所 44216

代理人：

刘卉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20171130
2018-04-27	公开	公开
2019-08-02	授权	授权
2022-11-25	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人变更前:广东省半导体产业技术研究院变更后:广东省科学院半导体研究所变更事项:地址变更前:510651 广东省广州市天河区长兴路363号变更后:510651 广东省广州市天河区长兴路363号

共 50 条

[1]

一种GaN基倒装薄膜结构近紫外LED芯片 [P].

刘晓燕 ;

陈志涛 ;

曾昭烩 ;

龚政 ;

刘久澄 ;

任远 ;

李叶林 .

中国专利 :CN207116466U ,2018-03-16

[2]

SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P].

蒋建华 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

黄慧诗 ;

闫晓密 .

中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14

[3]

GaN基LED结构及其制备方法 [P].

李若雅 ;

汪琼 ;

祝庆 ;

陈柏君 ;

陈柏松 .

中国专利 :CN108598235B ,2018-09-28

[4]

一种GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

蔡睿彦 .

中国专利 :CN104505443A ,2015-04-08

[5]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

刘恒山 ;

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN104916745A ,2015-09-16

[6]

一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片 [P].

程志青 ;

郭啸 ;

付羿 .

中国专利 :CN119677254A ,2025-03-21

[7]

一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片 [P].

程志青 ;

郭啸 ;

付羿 .

中国专利 :CN119677254B ,2025-10-10

[8]

一种GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

张志刚 ;

王群 ;

郭炳磊 ;

葛永辉 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN105023979A ,2015-11-04

[9]

一种GaN基Mini LED外延结构及制备方法 [P].

马昆旺 ;

唐乐星 ;

邹声斌 ;

贺卫群 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN116581211B ,2025-12-09

[10]

一种高可靠性倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法 [P].

崔志勇 ;

田思雨 ;

赵斌 ;

孙旭翔 .

中国专利 :CN118800846A ,2024-10-18

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