具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210281687.1

申请日：

2012-08-09

公开(公告)号：

CN102790154B

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

李璟王国宏詹腾

申请人：

申请人地址：

225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

扬州市锦江专利事务所 32106

代理人：

江平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375920915 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2012102816871 申请日:20120809
2014-12-10	授权	授权
2012-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

宋超 ;

刘榕 ;

张建宝 .

中国专利 :CN102709426A ,2012-10-03

[2]

具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

魏同波 ;

张杨 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN102157640A ,2011-08-17

[3]

具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

李鸿渐 ;

张溢 .

中国专利 :CN102790153A ,2012-11-21

[4]

低损伤GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

孔庆峰 ;

詹腾 .

中国专利 :CN103117338A ,2013-05-22

[5]

提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN103165780A ,2013-06-19

[6]

一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法 [P].

徐海龙 .

中国专利 :CN103824914B ,2014-05-28

[7]

具有高提取效率的GaN基LED芯片制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 .

中国专利 :CN102790158B ,2012-11-21

[8]

一种GaN基LED芯片表面粗化的方法 [P].

王钢 ;

陈义廷 ;

范冰丰 ;

招瑜 .

中国专利 :CN104319328A ,2015-01-28

[9]

一种ITO粗化的GaN基LED芯片及其制备方法 [P].

黄华茂 ;

王洪 ;

胡金勇 .

中国专利 :CN103904183B ,2014-07-02

[10]

一种GaN基LED芯片的制作方法 [P].

陈顺平 ;

潘群峰 ;

曾晓强 ;

黄少华 .

中国专利 :CN102789976A ,2012-11-21

← 1 2 3 4 5 →