一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410091099.0
申请日
2014-03-12
公开(公告)号
CN103824914B
公开(公告)日
2014-05-28
发明(设计)人
徐海龙
申请人
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区工业园内
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3322
代理机构
代理人
法律状态
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P]. 
李璟 ;
王国宏 ;
詹腾 .
中国专利 :CN102790154B ,2012-11-21
[2]
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P]. 
李璟 ;
王国宏 ;
魏同波 ;
张杨 ;
孔庆峰 .
中国专利 :CN102157640A ,2011-08-17
[3]
一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P]. 
宋超 ;
刘榕 ;
张建宝 .
中国专利 :CN102709426A ,2012-10-03
[4]
具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P]. 
李璟 ;
李鸿渐 ;
张溢 .
中国专利 :CN102790153A ,2012-11-21
[5]
一种GaN基LED外延片表面粗化方法 [P]. 
曲爽 ;
邵慧慧 ;
王成新 ;
李树强 ;
徐现刚 .
中国专利 :CN102130223B ,2011-07-20
[6]
一种GaN基LED芯片表面粗化的方法 [P]. 
王钢 ;
陈义廷 ;
范冰丰 ;
招瑜 .
中国专利 :CN104319328A ,2015-01-28
[7]
一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法 [P]. 
李毓锋 ;
马旺 ;
刘永明 ;
王成新 ;
肖成峰 .
中国专利 :CN111490133B ,2020-08-04
[8]
一种GaN基LED芯片的制作方法 [P]. 
陈顺平 ;
潘群峰 ;
曾晓强 ;
黄少华 .
中国专利 :CN102789976A ,2012-11-21
[9]
能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法 [P]. 
郝茂盛 ;
周健华 ;
张楠 ;
陈诚 ;
潘尧波 .
中国专利 :CN101494272B ,2009-07-29
[10]
一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法 [P]. 
何安和 ;
章勇 ;
何苗 ;
范广涵 .
中国专利 :CN101702419A ,2010-05-05