一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410604283.0

申请日：

2014-10-30

公开(公告)号：

CN105633232B

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

张恒曲爽王成新徐现刚张雷郝霄鹏

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

吕利敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	授权	授权
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667892892 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2014106042830 申请日:20141030
2016-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN207818601U ,2018-09-04

[2]

高阻GaN基缓冲层外延结构及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘波亭 ;

叶念慈 ;

张恺玄 ;

林志东 ;

蔡文必 .

中国专利 :CN108899365A ,2018-11-27

[3]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

刘恒山 ;

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN104916745A ,2015-09-16

[4]

SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P].

蒋建华 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

黄慧诗 ;

闫晓密 .

中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14

[5]

GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN105789391A ,2016-07-20

[6]

GaN基LED外延结构 [P].

刘恒山 ;

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN204809246U ,2015-11-25

[7]

一种GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

蔡睿彦 .

中国专利 :CN104505443A ,2015-04-08

[8]

GaN 基LED 外延结构及其制备方法 [P].

马后永 ;

李起鸣 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN104701432A ,2015-06-10

[9]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117712247A ,2024-03-15

[10]

一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

李鸿建 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02

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