一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820097245.4

申请日：

2018-01-19

公开(公告)号：

CN207818601U

公开(公告)日：

2018-09-04

发明(设计)人：

孙一军程志渊周强孙颖孙家宝刘艳华王妹芳盛况

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

邱启旺

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高GaN基LED发光效率的外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN108365063A ,2018-08-03

[2]

一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

张恒 ;

曲爽 ;

王成新 ;

徐现刚 ;

张雷 ;

郝霄鹏 .

中国专利 :CN105633232B ,2016-06-01

[3]

一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构 [P].

南琦 ;

刘银 .

中国专利 :CN215342637U ,2021-12-28

[4]

一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

盛况 ;

周强 ;

孙颖 .

中国专利 :CN109148660A ,2019-01-04

[5]

一种提高GaN基LED生产效率的外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

盛况 ;

周强 ;

孙颖 .

中国专利 :CN109148659A ,2019-01-04

[6]

GaN基LED外延结构 [P].

刘恒山 ;

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN204809246U ,2015-11-25

[7]

一种GaN 基LED的PGaN外延结构 [P].

王爱民 ;

潘鹏 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

周晓龙 .

中国专利 :CN203850328U ,2014-09-24

[8]

一种GaN基绿光LED外延结构 [P].

王洪 ;

徐明升 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN207282516U ,2018-04-27

[9]

一种绿光GaN基LED外延结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192832U ,2013-09-11

[10]

GaN基LED外延结构的制造方法 [P].

陈立人 ;

冯猛 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN106206897A ,2016-12-07

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