一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810947741.9

申请日：

2018-08-20

公开(公告)号：

CN109148660A

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

孙一军程志渊盛况周强孙颖

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

贾玉霞;邱启旺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-04	公开	公开
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20180820

共 50 条

[1]

一种提高GaN基LED生产效率的外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

盛况 ;

周强 ;

孙颖 .

中国专利 :CN109148659A ,2019-01-04

[2]

一种提高GaN基LED发光效率的外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN108365063A ,2018-08-03

[3]

一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN207818601U ,2018-09-04

[4]

一种带复合缓冲层的LED外延结构 [P].

张荣荣 ;

李鹏飞 ;

林政志 ;

曾颀尧 ;

郑建钦 ;

田宇 ;

徐晶 ;

王朋乔 ;

韦春余 .

中国专利 :CN106328782A ,2017-01-11

[5]

具有复合缓冲层的LED外延结构 [P].

陈传国 ;

唐宝坤 ;

宋威姿 ;

李昂 .

中国专利 :CN211700320U ,2020-10-16

[6]

一种提高UV LED出光效率的外延片 [P].

徐良 ;

刘建哲 ;

史伟言 ;

孙海定 ;

郭炜 ;

夏建白 .

中国专利 :CN212517228U ,2021-02-09

[7]

一种可提高多量子阱复合效率的LED外延结构 [P].

郑建钦 ;

田宇 ;

曾颀尧 ;

吴真龙 ;

林政志 ;

赖志豪 .

中国专利 :CN106328785A ,2017-01-11

[8]

一种提高LED亮度的双缓冲层横向外延生长方法 [P].

张璐 ;

商毅博 ;

于春丽 ;

邹丹 ;

李渝 .

中国专利 :CN104900774A ,2015-09-09

[9]

一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

张恒 ;

曲爽 ;

王成新 ;

徐现刚 ;

张雷 ;

郝霄鹏 .

中国专利 :CN105633232B ,2016-06-01

[10]

一种提高LED发光亮度的外延结构 [P].

孙海飞 .

中国专利 :CN204632794U ,2015-09-09

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