一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121398399.5

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN215342637U

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

南琦刘银

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

F16F15023 F16F1504 F16F1508

代理机构：

北京化育知识产权代理有限公司 11833

代理人：

闫露露

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN207818601U ,2018-09-04

[2]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205385037U ,2016-07-13

[3]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205406553U ,2016-07-27

[4]

具有非对称超晶格层的GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

刘恒山 ;

蔡睿彦 ;

陈立人 .

中国专利 :CN204668343U ,2015-09-23

[5]

具有复合缓冲层的LED外延结构 [P].

陈传国 ;

唐宝坤 ;

宋威姿 ;

李昂 .

中国专利 :CN211700320U ,2020-10-16

[6]

一种GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

蔡睿彦 .

中国专利 :CN204289495U ,2015-04-22

[7]

一种GaN 基LED的PGaN外延结构 [P].

王爱民 ;

潘鹏 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

周晓龙 .

中国专利 :CN203850328U ,2014-09-24

[8]

一种GaN基绿光LED外延结构 [P].

王洪 ;

徐明升 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN207282516U ,2018-04-27

[9]

一种绿光GaN基LED外延结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192832U ,2013-09-11

[10]

一种大尺寸GaN基LED外延结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN204464312U ,2015-07-08

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