一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121398399.5

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN215342637U

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

南琦刘银

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

F16F15023 F16F1504 F16F1508

代理机构：

北京化育知识产权代理有限公司 11833

代理人：

闫露露

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	授权	授权

共 50 条

[21]

一种硅基GaN外延生长结构 [P].

罗锦贵 .

中国专利 :CN203367337U ,2013-12-25

[22]

一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构 [P].

李盼盼 ;

李鸿渐 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192834U ,2013-09-11

[23]

一种深紫外LED外延结构 [P].

孙卿 ;

汤磊 ;

罗邵军 ;

杨福华 .

中国专利 :CN207265079U ,2018-04-20

[24]

一种GaN基发光二极管外延结构 [P].

王国斌 ;

徐春阳 ;

邢志刚 ;

张伟 .

中国专利 :CN206558531U ,2017-10-13

[25]

一种增加GaN基反向电压的外延结构 [P].

项博媛 ;

徐迪 ;

农明涛 ;

杨云峰 .

中国专利 :CN204760415U ,2015-11-11

[26]

一种具有电流阻挡层的LED外延结构 [P].

马昆旺 ;

吴质朴 ;

何畏 ;

陈强 .

中国专利 :CN207338417U ,2018-05-08

[27]

一种用于极紫外GaN基半导体UV-LED芯片的绝缘结构 [P].

南琦 ;

刘银 .

中国专利 :CN215342584U ,2021-12-28

[28]

一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构 [P].

张宇 ;

陈宏泰 ;

车相辉 ;

林琳 ;

位永平 ;

王晶 ;

郝文嘉 ;

于浩 .

中国专利 :CN205211759U ,2016-05-04

[29]

一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN213878133U ,2021-08-03

[30]

一种新型的深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王敦年 .

中国专利 :CN208014725U ,2018-10-26

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