一种用于极紫外GaN基半导体UV-LED芯片的绝缘结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121387753.4

申请日：

2021-06-22

公开(公告)号：

CN215342584U

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

南琦刘银

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12

IPC主分类号：

H01L25075

IPC分类号：

H01L3348 H01L3354

代理机构：

北京化育知识产权代理有限公司 11833

代理人：

闫露露

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构 [P].

张帆 ;

吴永胜 .

中国专利 :CN203434159U ,2014-02-12

[2]

用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构及其制造工艺 [P].

张帆 ;

吴永胜 .

中国专利 :CN103489887A ,2014-01-01

[3]

一种极紫外GaN UV-LED外延结构 [P].

南琦 ;

刘银 .

中国专利 :CN113299807A ,2021-08-24

[4]

一种半导体芯片封装结构和UV-LED灯板 [P].

何雨桐 ;

沈洁 ;

聂柱根 ;

何忠亮 .

中国专利 :CN212517231U ,2021-02-09

[5]

一种GaN基半导体发光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蓝家彬 ;

李晓琴 ;

张江勇 ;

陈婉君 ;

王星河 .

中国专利 :CN222051801U ,2024-11-22

[6]

一种GaN基半导体激光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蔡鑫 ;

黄军 ;

陈婉君 ;

李水清 ;

王星河 .

中国专利 :CN221379985U ,2024-07-19

[7]

一种GaN基半导体发光芯片 [P].

郑锦坚 ;

李水清 ;

张江勇 ;

蔡鑫 ;

蓝家彬 ;

黄军 ;

张会康 .

中国专利 :CN118053951A ,2024-05-17

[8]

一种GaN基半导体发光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蓝家彬 ;

李晓琴 ;

张江勇 ;

陈婉君 ;

王星河 .

中国专利 :CN117613159A ,2024-02-27

[9]

一种GaN基半导体激光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蔡鑫 ;

黄军 ;

陈婉君 ;

李水清 ;

王星河 .

中国专利 :CN117394142A ,2024-01-12

[10]

一种GaN基LED半导体芯片的制备方法 [P].

尹以安 ;

闫其昂 ;

牛巧利 ;

章勇 .

中国专利 :CN102082214B ,2011-06-01

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